Фильтры
Фильтры
Полупроводник IC
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC6401N |
MOSFET Dual N-Ch 2.5V спецификация мощности траншей
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 |
MOSFET -30V 45mOhm@10V -4.8A P-Ch G-III
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
NTMFS5C426NT1G |
MOSFET T6D3F 40V NFET
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDS4935A |
MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTJD4152PT1G |
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDG6316P |
MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NVMFD5C466NT1G |
40В 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
MMBF170LT1G |
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTD2955T4G |
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDMC2523P |
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTNS3193NZT5G |
MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
2SK2225-E |
MOSFET 2A, 1500В, TO-3PFM, без Pb
|
Ренесас Электроникс
|
|
|
|
|
|
NVTFS9D6P04M8LTAG |
MOSFET MV8 P ИНИЦИАЛЬНАЯ ПРОГРАММА
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NVD6415ANLT4G-VF01 |
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NCV8405ASTT3G |
MOSFET СОБОЙ защищенная нижняя сторона F
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTS4101PT1G |
MOSFET -20V -1.37A П-канал
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NVR4501NT1G |
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
SI4816BDY-T1-GE3 |
MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 мох
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
NTJS4151PT1G |
MOSFET -20V -4.2A P-канал
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NCV8403ASTT1G |
MOSFET самозащищенный FET
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTS2101PT1G |
MOSFET -8V -1.4A P-канал
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
НВМФС5К468НЛТ1Г |
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
NTMD4840NR2G |
MOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDP51N25 |
MOSFET 250V N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NDS9407 |
MOSFET Однотоннажный P-Ch MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Квалифицированный
|
Силиконикс / Вишай
|
|
|
|
|
|
2N7000TA |
MOSFET 60V N-канал Sm Sig
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NVMFS5C404NLWFT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 373A 750MO
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDMS8320L |
MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDMS7602S |
MOSFET 30V двойной N-канал PowerTrench
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FCD380N60E |
MOSFET 600V N-канальный MOSFET
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS6990AS |
MOSFET 30V DUAL N-CH. FET 18 MO SO8
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI5403DC-T1-GE3 |
MOSFET 30V 6.0A 6.3W 30mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
FDC6305N |
MOSFET SSOT-6 N-CH 20 В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
ИПД15Н06С2Л-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
|
Инфинеон Технологии
|
|
|
|
|
|
RJK0454DPB-00#J5 |
MOSFET JET серии MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
|
Ренесас Электроникс
|
|
|
|
|
|
FDC6420C |
MOSFET 20V/-20V N/P
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NCV8402ADDR2G |
MOSFET 42V2A
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FQP6N90C |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET продвижение C-серии
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SI4431CDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
SQ2361AEES-T1_GE3 |
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Квалифицированный
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ИРЛ520ПБФ |
MOSFET N-Chan 100В 9,2 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IRFP064PBF |
MOSFET N-Chan 60V 70 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
NVD2955T4G |
MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
FDA59N30 |
MOSFET MOSFET 500V NCH
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
MOSFET N-Chan 500В 8,0 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
IRF9530STRLPBF |
MOSFET P-Chan 100В 12 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|
|
|
|
ECH8697R-TL-W |
MOSFET NCH 2.5V общего водоснабжения
|
ОНСЕМИ
|
|
|
|
|
|
IRFU320PBF |
MOSFET N-Chan 400В 3,1 ампер
|
Вишай полупроводники
|
|
|