ИПД15Н06С2Л-64
Спецификации
Полярность транзистора:
N-канал
технологии:
Si
Id - непрерывное течение стока:
15 А
Стил монтажа:
SMD/SMT
Фирменное название:
OptiMOS
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
TO-252-3
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Режим канала:
Повышение
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
55 v
упаковка:
Катушка
Категория продукции:
MOSFET
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
20 В
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
64 мОмм
Производитель:
Инфинеон Технологии
Введение
IPD15N06S2L-64, от Infineon Technologies, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
ИПД50Н08С4-13
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
ИПД90Н10С4Л-06
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
FM24V02A-ГТР
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
ТЛЕ8366Е В50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
ИПД50Н08С4-13 |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
|
|
|
|
ИПД90Н10С4Л-06 |
MOSFET MOSFET
|
|
|
|
IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
|
|
|
|
ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1 |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
|
|
|
|
S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
|
|
|
FM24V02A-ГТР |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
|
|
|
FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
|
|
|
S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
ТЛЕ8366Е В50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:

