Дом > продукты > Полупроводник IC

Полупроводник IC

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
качество ФДБЛ0330Н80 завод

ФДБЛ0330Н80

MOSFET к MV7 без свинца 80 В
Fairchild Semiconductor
качество ФДД8874 завод

ФДД8874

MOSFET 30V N-канал PowerTrench
Fairchild Semiconductor
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET 60V/60V N/P
Fairchild Semiconductor
качество SI1869DH-T1-E3 завод

SI1869DH-T1-E3

MOSFET загрузочный переключатель 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT
Вишай полупроводники
качество SIR610DP-T1-RE3 завод

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Type Rds ((on)) 24 мхм
Силиконикс / Вишай
качество NTTFS4937NTWG завод

NTTFS4937NTWG

MOSFET 30V 75A 4,5 мОхм Одиночный N-Chan u8FL
ОНСЕМИ
качество NCV8405ASTT1G завод

NCV8405ASTT1G

MOSFET СОБОЙ защищенная нижняя сторона F
ОНСЕМИ
качество FDC6312P завод

FDC6312P

MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
Fairchild Semiconductor
качество NCV8402ASTT1G завод

NCV8402ASTT1G

MOSFET 42V 2.0A
ОНСЕМИ
качество SQ7415AEN-T1_GE3 завод

SQ7415AEN-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Квалифицированный
Вишай полупроводники
качество IRF9630PBF завод

IRF9630PBF

MOSFET P-Chan 200В 6,5 ампер
Вишай полупроводники
качество 2N7002KT1G завод

2N7002KT1G

MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Омм
ОНСЕМИ
качество ИПД50Н08С4-13 завод

ИПД50Н08С4-13

MOSFET N-CHANNEL 75/80В
Инфинеон Технологии
качество НТЗД3154НТ5Г завод

НТЗД3154НТ5Г

MOSFET 20V 540mA Двухканальный N-канал с ESD
ОНСЕМИ
качество NDFP03N150CG завод

NDFP03N150CG

MOSFET N-CH Мощность MOSFET 1500V 2,5A
ОНСЕМИ
качество NTD6416ANT4G завод

NTD6416ANT4G

MOSFET NFET DPAK 100В 19A 96MO
ОНСЕМИ
качество IRFPG50PBF завод

IRFPG50PBF

MOSFET N-Chan 1000В 6,1 ампер
Вишай полупроводники
качество FDP61N20 завод

FDP61N20

MOSFET 200V N-канальный MOSFET
Fairchild Semiconductor
качество FDC2612 завод

FDC2612

MOSFET 200V NCh PowerTrench
Fairchild Semiconductor
качество SI1024X-T1-GE3 завод

SI1024X-T1-GE3

MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 700 мкм @ 4,5 В
Вишай полупроводники
качество NTR2101PT1G завод

NTR2101PT1G

MOSFET -8V 3.7A P-канал
ОНСЕМИ
качество NVD5862NT4G завод

NVD5862NT4G

MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM
ОНСЕМИ
качество ИПД90Н10С4Л-06 завод

ИПД90Н10С4Л-06

МОСФЕТ МОСФЕТ
Инфинеон Технологии
качество SIS413DN-T1-GE3 завод

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
Вишай полупроводники
качество IPD35N10S3L-26 завод

IPD35N10S3L-26

MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
Инфинеон Технологии
качество IRFP264PBF завод

IRFP264PBF

MOSFET N-Chan 250V 38 ампер
Вишай полупроводники
качество FDMS86150 завод

FDMS86150

MOSFET PT5 100V / 20V Nch PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
качество SI7489DP-T1-GE3 завод

SI7489DP-T1-GE3

MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
Вишай полупроводники
качество FDD8444 завод

FDD8444

MOSFET Низкое напряжение
Fairchild Semiconductor
качество SQJ409EP-T1_GE3 завод

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Квалифицированный
Вишай полупроводники
качество ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1 завод

ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1

Модуль IGBT MED PWR 62MM-2
Инфинеон Технологии
качество НЖВМЖД45Х11Т4Г завод

НЖВМЖД45Х11Т4Г

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
ОНСЕМИ
качество 2SA2202-TD-E завод

2SA2202-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100В
ОНСЕМИ
качество NJV4031NT1G завод

NJV4031NT1G

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
ОНСЕМИ
качество NJVMJD45H11RLG завод

NJVMJD45H11RLG

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TR
ОНСЕМИ
качество NJV4030PT1G завод

NJV4030PT1G

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
ОНСЕМИ
качество SBCP53-16T1G завод

SBCP53-16T1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
ОНСЕМИ
качество MJE253G завод

MJE253G

Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 15W PNP
ОНСЕМИ
качество BCP53-16T1G завод

BCP53-16T1G

Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 100V PNP
ОНСЕМИ
качество NJW3281G завод

NJW3281G

Биполярные транзисторы - BJT 200 W BETA AUDIO
ОНСЕМИ
качество MJD210G завод

MJD210G

Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 12,5W PNP
ОНСЕМИ
качество НЖВМЖД340Т4Г завод

НЖВМЖД340Т4Г

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
ОНСЕМИ
качество MJE182G завод

MJE182G

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 12,5W NPN
ОНСЕМИ
качество ММБТ2907AWT1G завод

ММБТ2907AWT1G

Биполярные транзисторы - BJT 600mA 60V PNP
ОНСЕМИ
качество CPH3116-TL-E завод

CPH3116-TL-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 50V
ОНСЕМИ
качество CPH3216-TL-E завод

CPH3216-TL-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 50V
ОНСЕМИ
качество SBC807-25LT1G завод

SBC807-25LT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR SPCL TR
ОНСЕМИ
качество SBCP53-10T1G завод

SBCP53-10T1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
ОНСЕМИ
качество 2SC3647S-TD-E завод

2SC3647S-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100В
ОНСЕМИ
качество 2N3773G завод

2N3773G

Биполярные транзисторы - BJT 16A 140V 150W NPN
ОНСЕМИ
37 38 39 40 41