Дом > продукты > Полупроводник IC

Полупроводник IC

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
качество БСП52Т3Г завод

БСП52Т3Г

Транзисторы Дарлингтона SS DL XSTR NPN 80В
ОНСЕМИ
качество MJH6287G завод

MJH6287G

ОНСЕМИ
качество NJD35N04T4G завод

NJD35N04T4G

ОНСЕМИ
качество RJH60F7BDPQ-A0#T0 завод

RJH60F7BDPQ-A0#T0

IGBT Транзисторы IGBT
Ренесас Электроникс
качество NGTB25N120FL3WG завод

NGTB25N120FL3WG

IGBT транзисторы IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
ОНСЕМИ
качество FGA40T65SHD завод

FGA40T65SHD

IGBT Транзисторы 650V FS Gen3 IGBT
Fairchild Semiconductor
качество FGH60N60SMD завод

FGH60N60SMD

IGBT Транзисторы 600V/60A Field Stop IGBT версия 2
Fairchild Semiconductor
качество NGTB50N120FL2WG завод

NGTB50N120FL2WG

ОНСЕМИ
качество FGH75T65UPD завод

FGH75T65UPD

Fairchild Semiconductor
качество MUN5235DW1T1G завод

MUN5235DW1T1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT Dual NPN
ОНСЕМИ
качество ММУН2113LT1G завод

ММУН2113LT1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT PNP
ОНСЕМИ
качество DTC114YET1G завод

DTC114YET1G

Двухполярные транзисторы - Пре-пристрастное 100mA 50V ЯРКОЕ NPN
ОНСЕМИ
качество ММУН2132LT1G завод

ММУН2132LT1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые 100mA 50V BRT PNP
ОНСЕМИ
качество MMUN2233LT1G завод

MMUN2233LT1G

Двухполярные транзисторы - Пре-пристрастное 100mA 50V ЯРКОЕ NPN
ОНСЕМИ
качество НСВДТА114ЕЕТ1Г завод

НСВДТА114ЕЕТ1Г

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS SC75 BR XSTR PNP 50V
ОНСЕМИ
качество НСВМУН5312DW1T2G завод

НСВМУН5312DW1T2G

Биполярные транзисторы - предварительный SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
ОНСЕМИ
качество SMUN5211DW1T1G завод

SMUN5211DW1T1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS BR XSTR NPN 50V
ОНСЕМИ
качество SBC817-25LT1G завод

SBC817-25LT1G

Биполярные транзисторы - предварительно предвзятые SS GP XSTR SPCL TR
ОНСЕМИ
качество SIHB33N60ET1-GE3 завод

SIHB33N60ET1-GE3

МОП-транзистор N-КАНАЛЬНЫЙ 600 В
Вишай полупроводники
качество НВМФС5К410НЛТ3Г завод

НВМФС5К410НЛТ3Г

MOSFET NFET SO8FL 40V 315A 900MO
ОНСЕМИ
качество HAT2169H-EL-E завод

HAT2169H-EL-E

МОСФЕТ МОСФЕТ
Ренесас Электроникс
качество NTMFS4C022NT1G завод

NTMFS4C022NT1G

MOSFET TRENCH 6 30V NCH
ОНСЕМИ
качество SQJA86EP-T1_GE3 завод

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Квалифицированный
Вишай полупроводники
качество NVD5C684NLT4G завод

NVD5C684NLT4G

MOSFET T6 60V LL DPAK
ОНСЕМИ
качество NTMFS5C628NLT1G завод

NTMFS5C628NLT1G

MOSFET TRENCH 6 60В НФЭТ
ОНСЕМИ
качество SI2377EDS-T1-GE3 завод

SI2377EDS-T1-GE3

MOSFET 20V 4.4A P-CH MOSFET
Вишай полупроводники
качество NTJD4001NT1G завод

NTJD4001NT1G

MOSFET 30V 250mA Двухканальный N-канал
ОНСЕМИ
качество BSS138K завод

BSS138K

MOSFET 50V NCh Мод повышения уровня логики FET
Fairchild Semiconductor
качество 2N7002WT1G завод

2N7002WT1G

МОСФЕТ МОЛОЙ СИГНАЛ МОСФЕТ 6.8В
ОНСЕМИ
качество FQP13N50C завод

FQP13N50C

MOSFET 500V N-Ch Q-FET заранее C-серия
ОНСЕМИ
качество IRFB18N50KPBF завод

IRFB18N50KPBF

MOSFET N-Chan 500В 17 ампер
Вишай полупроводники
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET SO-8
Fairchild Semiconductor
качество MCH6445-TL-W завод

MCH6445-TL-W

MOSFET NCH 4A 60V 4V ДРИВ MCPH6
ОНСЕМИ
качество SI7956DP-T1-GE3 завод

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V
Вишай полупроводники
качество SQ2315ES-T1_GE3 завод

SQ2315ES-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Квалифицированный
Силиконикс / Вишай
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET Dual N-Ch 100V спецификация мощности траншеи
Fairchild Semiconductor
качество FDG6332C завод

FDG6332C

MOSFET 20V N&P-канал энергопровода
ОНСЕМИ
качество NTA7002NT1G завод

NTA7002NT1G

MOSFET 30V 154mA N-канал
ОНСЕМИ
качество FDG6303N завод

FDG6303N

MOSFET SC70-6 N-CH 25 В
Fairchild Semiconductor
качество NTMFS5C442NLT1G завод

NTMFS5C442NLT1G

MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2,8MO
ОНСЕМИ
качество NTMFS5C430NLT1G завод

NTMFS5C430NLT1G

MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
ОНСЕМИ
качество IRFPC60LCPBF завод

IRFPC60LCPBF

MOSFET N-Chan 600В 16 ампер
Вишай полупроводники
качество FCH099N60E завод

FCH099N60E

MOSFET SuperFET2 600V Медленная версия
Fairchild Semiconductor
качество FDMS86200 завод

FDMS86200

MOSFET 150V N-канал PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
качество FQB8N90CTM завод

FQB8N90CTM

MOSFET N-CH/900V/8A/QFET серии C
Fairchild Semiconductor
качество FDPF18N20FT завод

FDPF18N20FT

MOSFET UniFET 200 В
Fairchild Semiconductor
качество FDD4685 завод

FDD4685

MOSFET -40V P-канал PowerTrench MOSFET
ОНСЕМИ
качество FDS8858CZ завод

FDS8858CZ

MOSFET 30V Двойной N & P-Ch PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
качество FQD7P20TM завод

FQD7P20TM

MOSFET 200V P-канал QFET
Fairchild Semiconductor
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET 40V Двойной N & P-Ch PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
35 36 37 38 39