SQ2315ES-T1_GE3
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Силиконикс / Вишай
Описание:
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Квалифицированный
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Полярность транзистора:
P-канал
технологии:
Si
Id - непрерывное течение стока:
- 5 a
Стил монтажа:
SMD/SMT
Фирменное название:
TrenchFET
Минимальная рабочая температура:
- 55 c
Пакет / чемодан:
SOT-23-3
Максимальная рабочая температура:
+ 175 c
Режим канала:
Повышение
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:
- 12 v
упаковка:
Катушка
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:
- 1 В
Категория продукции:
MOSFET
Rds на - сопротивлении Сток-источника:
0,042 Ом
Количество каналов:
1 канал
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:
+/- 8 В
Qg - обязанность ворот:
13 н.э.
Производитель:
Силиконикс / Вишай
Введение
SQ2315ES-T1_GE3, от Siliconix / Vishay, это MOSFET. то, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
DG412DQ-T1-E3
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
DG412DY-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
DG411DY-T1-E3
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
SQJ479EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
|
|
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
|
|
DG412DQ-T1-E3 |
Analog Switch ICs P M Quad SPST CMOS Analog Switch
|
|
|
|
DG412DY-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
|
|
|
DG411DY-T1-E3 |
Analog Switch ICs Quad SPST 22/25V
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
