logo
Дом > продукты > Полупроводник IC

Полупроводник IC

ИзображениеЧасть #ОписаниепроизводительЗапасыRFQ
качество SIS413DN-T1-GE3 завод

SIS413DN-T1-GE3

MOSFET -30V 9,4mOhm@10V -18A P-Ch G-III
Вишай полупроводники
качество IPD35N10S3L-26 завод

IPD35N10S3L-26

MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
Инфинеон Технологии
качество IRFP264PBF завод

IRFP264PBF

MOSFET N-Chan 250V 38 ампер
Вишай полупроводники
качество FDMS86150 завод

FDMS86150

MOSFET PT5 100V / 20V Nch PowerTrench MOSFET
Fairchild Semiconductor
качество SI7489DP-T1-GE3 завод

SI7489DP-T1-GE3

MOSFET 100V 28A 83W 41mohm @ 10V
Вишай полупроводники
качество FDD8444 завод

FDD8444

MOSFET Низкое напряжение
Fairchild Semiconductor
качество SQJ409EP-T1_GE3 завод

SQJ409EP-T1_GE3

MOSFET -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Квалифицированный
Вишай полупроводники
качество ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1 завод

ФЗ600Р12КЭ4ХОСА1

Модуль IGBT MED PWR 62MM-2
Инфинеон Технологии
качество НЖВМЖД45Х11Т4Г завод

НЖВМЖД45Х11Т4Г

Биполярные транзисторы - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V TR
ОНСЕМИ
качество 2SA2202-TD-E завод

2SA2202-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 100В
ОНСЕМИ
качество NJV4031NT1G завод

NJV4031NT1G

Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
ОНСЕМИ
качество NJVMJD45H11RLG завод

NJVMJD45H11RLG

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TR
ОНСЕМИ
качество NJV4030PT1G завод

NJV4030PT1G

Биполярные транзисторы - BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN
ОНСЕМИ
качество SBCP53-16T1G завод

SBCP53-16T1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
ОНСЕМИ
качество MJE253G завод

MJE253G

Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 15W PNP
ОНСЕМИ
качество BCP53-16T1G завод

BCP53-16T1G

Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 100V PNP
ОНСЕМИ
качество NJW3281G завод

NJW3281G

Биполярные транзисторы - BJT 200 W BETA AUDIO
ОНСЕМИ
качество MJD210G завод

MJD210G

Биполярные транзисторы - BJT 5A 25V 12,5W PNP
ОНСЕМИ
качество НЖВМЖД340Т4Г завод

НЖВМЖД340Т4Г

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 0.5A 300V TR
ОНСЕМИ
качество MJE182G завод

MJE182G

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 12,5W NPN
ОНСЕМИ
качество ММБТ2907AWT1G завод

ММБТ2907AWT1G

Биполярные транзисторы - BJT 600mA 60V PNP
ОНСЕМИ
качество CPH3116-TL-E завод

CPH3116-TL-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 1A 50V
ОНСЕМИ
качество CPH3216-TL-E завод

CPH3216-TL-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 50V
ОНСЕМИ
качество SBC807-25LT1G завод

SBC807-25LT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR SPCL TR
ОНСЕМИ
качество SBCP53-10T1G завод

SBCP53-10T1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
ОНСЕМИ
качество 2SC3647S-TD-E завод

2SC3647S-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100В
ОНСЕМИ
качество 2N3773G завод

2N3773G

Биполярные транзисторы - BJT 16A 140V 150W NPN
ОНСЕМИ
качество СОВЕТ42CG завод

СОВЕТ42CG

Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W PNP
ОНСЕМИ
качество SBCP53T1G завод

SBCP53T1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR PNP 80V
ОНСЕМИ
качество НСВ40201LT1G завод

НСВ40201LT1G

Биполярные транзисторы - BJT 40V NPN LOW VCE(SAT) XTR
ОНСЕМИ
качество TIP41CG завод

TIP41CG

Биполярные транзисторы - BJT 6A 100V 65W NPN
ОНСЕМИ
качество 2SA2013-TD-E завод

2SA2013-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 4A 50V
ОНСЕМИ
качество D45VH10G завод

D45VH10G

Биполярные транзисторы - BJT 15A 80V 83W PNP
ОНСЕМИ
качество NSV1C201MZ4T1G завод

NSV1C201MZ4T1G

Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN LOW VCE(SAT) TRA
ОНСЕМИ
качество НСВ60200LT1G завод

НСВ60200LT1G

Биполярные транзисторы - BJT 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
ОНСЕМИ
качество NSS60201LT1G завод

NSS60201LT1G

Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN Низкий VCE ((SAT) XTR
ОНСЕМИ
качество ММБТ2222AWT1G завод

ММБТ2222AWT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
ОНСЕМИ
качество MJE15034G завод

MJE15034G

Биполярные транзисторы - BJT 4A 350V 50W NPN
ОНСЕМИ
качество MJE172G завод

MJE172G

Биполярные транзисторы - BJT 3A 80V 12,5W PNP
ОНСЕМИ
качество SBC846ALT1G завод

SBC846ALT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 65V
ОНСЕМИ
качество ММБТ2484LT1G завод

ММБТ2484LT1G

Биполярные транзисторы - BJT 600mA 60V NPN
ОНСЕМИ
качество MJ15024G завод

MJ15024G

Биполярный (BJT) транзистор NPN 250 V 16 A 4MHz 250 W через отверстие TO-204 (TO-3)
ОНСЕМИ
качество SBC817-40LT1G завод

SBC817-40LT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR SPCL TR
ОНСЕМИ
качество 2SC5566-TD-E завод

2SC5566-TD-E

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 50V
ОНСЕМИ
качество MJE243G завод

MJE243G

Биполярные транзисторы - BJT 4A 100V 15W NPN
ОНСЕМИ
качество NJVMJD243T4G завод

NJVMJD243T4G

Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100V TR
ОНСЕМИ
качество SMMBT5401LT1G завод

SMMBT5401LT1G

Биполярные транзисторы - BJT SS HV XSTR SPCL TR
ОНСЕМИ
качество NSS30101LT1G завод

NSS30101LT1G

Биполярные транзисторы - BJT 1A 30V низкий VCEsat
ОНСЕМИ
качество 2SA2222SG завод

2SA2222SG

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 10A 50V
ОНСЕМИ
качество СОВЕТ31CG завод

СОВЕТ31CG

Биполярные транзисторы - BJT 3A 100V 40W NPN
ОНСЕМИ
41 42 43 44 45