logo

BAV23CLT1G

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
Диодный массив GP 250V 400MA SOT23
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Диодные массивы
Статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
400 мА
Операционная температура - соединение:
-55°C ~ 150°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
10,25 В @ 200 мА
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
SOT-23-3 (TO-236)
Время обратного восстановления (trr):
150 нс
Мфр:
ОНСЕМИ
технологии:
Стандартный
Пакет / чемодан:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
250 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
BAV23
Ток - обратная утечка @ Vr:
100 nA @ 200 В
Выделить:

BAV23CLT1G semiconductor diode

,

BAV23CLT1G switching diode

,

BAV23CLT1G SMD IC

Введение
Диодная решетка, 1 пара, общий катод, 250 В, 400 мА, для поверхностного монтажа TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество MC33178DR2G завод

MC33178DR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
качество LM2904DMR2G завод

LM2904DMR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
качество NCV0372BDWR2G завод

NCV0372BDWR2G

Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
качество NCV2903DMR2G завод

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
качество CAT24C08WI-GT3 завод

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
качество FDC6401N завод

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: