BD681G
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
Транзисторы Дарлингтона 4А 100В Биполярная мощность NPN
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Полярность транзистора:
НПН
Категория продукции:
Транзисторы Darlington
Стил монтажа:
Через дыру
Максимальный ток коллектора постоянного тока:
4 А
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс:
100 В
Пакет / чемодан:
TO-225AA
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
упаковка:
Насыщенные
Конфигурация:
Одинокий
Напряжение тока коллектора- база VCBO:
100 В
Серия:
BD681
Максимальный ток отключения коллектора:
200 uA
Напряжение тока VEBO излучателя низкопробное:
5 В
Производитель:
ОНСЕМИ
Введение
BD681G, от Onsemi, это транзисторы Darlington. То, что мы предлагаем, имеет конкурентоспособную цену на мировом рынке, которые находятся в оригинальных и новых частях.Если вы хотите узнать больше о продуктах или применить более низкую цену, пожалуйста, свяжитесь с нами через онлайн чат или отправьте нам предложение!
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
