MBR10100G
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
Диод SCHOTTKY 100В 10А TO220-2
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Однодиодные
Статус продукта:
Активный
Ток - обратная утечка @ Vr:
100 μA @ 100 В
Тип установки:
Через дыру
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
800 мВ @ 10 А
Пакет:
Трубка
Серия:
SWITCHMODE™
Пропускная способность @ Vr, F:
-
Пакет изделий поставщика:
TO-220-2
Мфр:
ОНСЕМИ
технологии:
Шоттки
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Пакет / чемодан:
TO-220-2
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
100 В
Текущее - среднее скорректированное (Io):
10А
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MBR1010
Введение
Диод 100 В 10 А через отверстие TO-220-2
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК:
