МБР2060КТГ
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Диоды
Ректификаторы
Диодные массивы
Статус продукта:
Активный
Средний исправленный ток (Io) (на диод):
10А
Операционная температура - соединение:
-65°C ~ 175°C
Напряжение - вперед (Vf) (макс.):
850 мВ @ 10 А
Пакет:
Трубка
Серия:
SWITCHMODE™
Конфигурация диодов:
1 пара общей катоды
Пакет изделий поставщика:
TO-220
Мфр:
ОНСЕМИ
технологии:
Шоттки
Пакет / чемодан:
TO-220-3
Напряжение - обратное постоянное (Vr) (макс.):
60 В
Тип установки:
Через дыру
Скорость:
Быстрое восстановление = < 500 нс, > 200 мА (Io)
Номер базовой продукции:
MBR2060
Ток - обратная утечка @ Vr:
100 μA @ 60 В
Введение
Диодный массив 1 пара общая катода 60 V 10A через отверстие TO-220-3
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: