НСТ3946DXV6T1G

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
Транс NPN/PNP 40V 0.2A SOT563
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы Биполярный (BJT) Биполярные транзисторные массивы
Ток - коллектор (Ic) (макс.):
200 мА
Статус продукта:
Активный
Тип транзистора:
NPN, PNP
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Частота - переходный период:
300 МГц, 250 МГц
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Серия:
-
Vce Насыщение (макс.) @ Ib, Ic:
300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - разбивка коллектора излучателя (макс.):
40 В
Пакет изделий поставщика:
SOT-563
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - предел коллектора (макс.):
-
Мощность - Макс:
500 мВт
Пакет / чемодан:
SOT-563, SOT-666
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Увеличение тока постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce:
100 @ 10mA, 1V
Номер базовой продукции:
NST3946
Выделить:

Semiconductor IC NST3946DXV6T1G

,

NST3946DXV6T1G IC chip

,

Semiconductor IC with warranty

Введение
Биполярный (BJT) транзисторный массив NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 500mW Поверхностный монтаж SOT-563
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество MC33178DR2G завод

MC33178DR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
качество LM2904DMR2G завод

LM2904DMR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
качество NCV0372BDWR2G завод

NCV0372BDWR2G

Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
качество NCV2903DMR2G завод

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
качество CAT24C08WI-GT3 завод

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
качество FDC6401N завод

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: