NTF3055L108T1G

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2В @ 250μA
Операционная температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет / чемодан:
TO-261-4, TO-261AA
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
15 nC @ 5 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120mOhm @ 1.5A, 5V
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (макс.):
±15V
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
440 pF @ 25 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
-
Пакет изделий поставщика:
SOT-223 (TO-261)
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
3A (животики)
Диссипация силы (Макс):
1.3W (животики)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
NTF3055
Выделить:

Semiconductor IC NTF3055L108T1G

,

NTF3055L108T1G power transistor

,

NTF3055L108T1G electronic component

Введение
Держатель v 3A N-канала 60 (животики) 1.3W (животики) поверхностный SOT-223 (TO-261)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество MC33178DR2G завод

MC33178DR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
качество LM2904DMR2G завод

LM2904DMR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
качество NCV0372BDWR2G завод

NCV0372BDWR2G

Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
качество NCV2903DMR2G завод

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
качество CAT24C08WI-GT3 завод

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
качество FDC6401N завод

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: