logo
Отправить сообщение

НВГС5120ПТ1Г

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
18.1 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
111mOhm @ 2,9A, 10В
Тип FET:
P-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
942 pF @ 30 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
Автомобиль, AEC-Q101
Пакет изделий поставщика:
6-TSOP
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
1.8A (животики)
Диссипация силы (Макс):
600mW (животики)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
NVGS5120
Введение
P-Channel 60 V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) На поверхности установка 6-TSOP
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: