СУМ110П06-08Л-Е3
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет / чемодан:
TO-263-3, D2Pak (2 лиды + Таб), TO-263AB
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
240 nC @ 10 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 30A, 10В
Тип FET:
P-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
9200 pF @ 25 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
TrenchFET®
Пакет изделий поставщика:
ТО-263 (Д²Пак)
Мфр:
Вишай Силиконикс
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
110A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
3.75 Вт (Ta), 272 Вт (Tc)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
Сумма 110
Введение
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Наземная установка TO-263 (D2Pak)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
ИРФБЕ30СПБФ
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
IRF644STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
|
|
![]() |
IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
|
|
![]() |
ИРФБЕ30СПБФ |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
|
|
![]() |
IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
|
|
![]() |
SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
|
|
![]() |
SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
|
|
![]() |
SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
|
|
![]() |
SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
|
|
![]() |
SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: