FCD900N60Z

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
17 nC @ 10 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
900mOhm @ 2.3A, 10В
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
10 В
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
600 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Не для новых моделей
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
720 pF @ 25 v
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
SuperFET® II
Пакет изделий поставщика:
TO-252AA
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
4.5А (Tc)
Диссипация силы (Макс):
52W (Tc)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
FCD900
Выделить:

FCD900N60Z power MOSFET

,

FCD900N60Z semiconductor IC

,

FCD900N60Z high voltage transistor

Введение
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Поверхностная установка TO-252AA
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество MC33178DR2G завод

MC33178DR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
качество LM2904DMR2G завод

LM2904DMR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
качество NCV0372BDWR2G завод

NCV0372BDWR2G

Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
качество NCV2903DMR2G завод

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
качество CAT24C08WI-GT3 завод

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
качество FDC6401N завод

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: