Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия
Транзисторы
FET, MOSFET
Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
8-PowerWDFN
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
22 nC @ 10 v
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 7A, 10V
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
4.5В, 10В
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Режущая лента (КТ)
Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
100 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 50 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
PowerTrench®
Пакет изделий поставщика:
8-MLP (3.3x3.3)
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
7A (животики), 18A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
FDMC86102
Введение
N-Channel 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) На поверхности установка 8-MLP (3.3x3.3)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![качество [#varpname#] завод](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Изображение | Часть # | Описание | |
---|---|---|---|
![]() |
Высокоскоростной двойной инвертирующий MOSFET полупроводниковый IC Gate Driver Chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: