logo
Отправить сообщение

IRFR014TRLPBF

производитель:
Вишай Силиконикс
Описание:
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Операционная температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет / чемодан:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
11 nC @ 10 В
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200 мОм @ 4,6 А, 10 В
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
10 В
Пакет:
Лента и катушка (TR) Режущая лента (КТ) Digi-Reel®
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
60 В
Vgs (макс.):
± 20 В
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
300 пФ @ 25 В
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Серия:
-
Пакет изделий поставщика:
D-PAK
Мфр:
Вишай Силиконикс
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
7.7А (Tc)
Диссипация силы (Макс):
2.5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc)
технологии:
MOSFET (металлическая окись)
Номер базовой продукции:
IRFR014
Введение
N-Channel 60 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Поверхностная установка D-Pak
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: