NVH4L080N120SC1

производитель:
ОНСЕМИ
Описание:
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Категория:
Полупроводник IC
Спецификации
Категория:
Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET
Особенность FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Операционная температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакет / чемодан:
TO-247-4
Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110mOhm @ 20A, 20V
Тип FET:
N-канал
Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено):
20 В
Пакет:
Трубка
Напряжение отхода к источнику (Vdss):
1200 В
Vgs (макс.):
+25V, -15V
Статус продукта:
Активный
Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds:
1670 pF @ 800 В
Тип установки:
Через дыру
Серия:
Автомобиль, AEC-Q101
Пакет изделий поставщика:
TO-247-4L
Мфр:
ОНСЕМИ
Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C:
29A (Tc)
Диссипация силы (Макс):
170 мВт (Tc)
технологии:
SiCFET (кремниевый карбид)
Номер базовой продукции:
NVH4L080
Выделить:

NVH4L080N120SC1 semiconductor IC

,

high voltage semiconductor IC

,

power management IC with warranty

Введение
N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) через отверстие TO-247-4L
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество MC33178DR2G завод

MC33178DR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
качество LM2904DMR2G завод

LM2904DMR2G

Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
качество NCV0372BDWR2G завод

NCV0372BDWR2G

Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
качество NCV2903DMR2G завод

NCV2903DMR2G

IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
качество CAT24C08WI-GT3 завод

CAT24C08WI-GT3

EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
качество FDC3601N завод

FDC3601N

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
качество FDS4897C завод

FDS4897C

MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
качество FDS6898A завод

FDS6898A

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
качество FDC6401N завод

FDC6401N

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
качество FDS4559 завод

FDS4559

MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: